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湖人半导体（深圳）有限公司
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产品信息
AON7520产品描述
的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术
非常低的RDS （ ON） ，在2.5V VGS
低栅极电荷
ESD保护
AON7520产品目录
VDS 30V
ID (at VGS=10V) 50A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 1.8mΩ
RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 2.1mΩ
RDS(ON) (at VGS=2.5V) < 3.1mΩ
100%的用户界面测试
100% Rg测试
AON7520产品应用
负荷开关、电池在便携式设备开关
AON7520产品技术参数
数据列表AON7520标准包装3,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）48A（Ta），50A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1.8 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）1.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）105nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）4175pF @ 15V功率 - 值6.2W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerWDFN供应商器件封装8-DFN-EP（3.3x3.3）
